高温化学气相沉积法 (HTCVD)
HTCVD工艺是碳化硅晶体生长的重要方法，可用于生产低开关损耗的肖特基二极管以及蓝色发光二极管。碳化硅作为新一代半导体材料的核心，具有耐高温、耐高压、抗大剂量电离辐射等优越性能，被广泛应用于制造耐高温抗辐射电子器件、半导体器件和真空管中。得益于良好的导热性特点，碳化硅也被用作其他半导体的衬底材料。
通过高温化学气相沉积法，能够精确地控制碳化硅的生长过程，从而提高晶体质量和减小缺陷密度，进而实现制造高质量的器件。碳化硅作为一种具有广阔应用前景的新材料，相信将会在半导体和电子器件领域发挥越来越重要的作用。
工艺介绍
经过气相化学反应后，固体生成物会沉积在衬底材料的热表面上。为了生成碳化硅晶体，必须要有反应源气体化合物的存在，从而使得碳化硅可以在特定的反应温度下继续生长。用于化学气相的HTCVD法在要涂层的衬底材料表面上涉及至少一种化学反应，为了确保表面反应优先于气相中的竞争反应，进而防止固定颗粒的形成，化学气相沉积工艺通常在低压下进行。
应用
PVA TePla HTCVD系列系统专为生产高纯度碳化硅而量身打造，可广泛应用于半导体、电力电子和光电子等领域。
这种先进的技术可以制造出高质量的碳化硅产品，它有良好的热稳定性和优良的机械特性，广泛地应用于电力传输、能源转换、电动汽车和消费电子等领域。碳化硅具有优异的耐高温和防腐蚀性能，由于这些特性，将非常适用于环境恶劣的应用场景。HTCVD系列系统的使用可以帮助生产高质量的组件，从而提高生产的效率和质量保证，为企业的发展和产品占领市场提供了坚实的基础。