GIGAfab产品系列旗下所有系统均是单晶圆处理的等离子系统。我们可以根据基材类型或客户的应用要求，提供多种不同配置，包括从手动加载系统到全自动版本。我们的单晶片系统采用等离子技术，不论是各类基材，还是各种半导体材料，都能得到很好的处理。
根据不同应用，GIGAfab旗下系统可以配备不同类型的等离子源：从简单且高性价比的微波源和大型源，到带有远程等离子的自由基源，可用于对温度敏感的薄晶圆的硅蚀刻工艺。晶圆可以在此用各种方法进行退火处理。。
在手动装载系统中，腔室有一个拉出式门，晶圆放置在安装于门上的加热或冷却装置中。在自动系统中，晶片则通过机器人系统通过动态对准装载到腔室中。
GIGAfab M等离子系统可用于具有更严苛要求和特殊等离子源的应用中，适用于半导体行业等多个领域。基板由手工装载到工艺室，从单个最大到 300 mm晶圆（也包含薄膜减薄）到少数几片更小的晶圆。均匀性高达 5% 的平面源用于去除光刻胶（通过 300 mm晶圆测量）。或者，在远程操作中，径向源可用于蚀刻硅并减少薄晶圆或组件上的应力。
等离子系统 GIGAfab M的优势及相关设备：
系统控制基于带触摸屏的PC系统，使工艺过程可以在手动和自动多步操作中运行。该标准系统包含一个用于稳定过程压力的控制阀，以及两个带自动流量控制器 (MFC) 的气体管道；另外也可选配额外两个气体管道。
GIGAfab A 是一个由机器人系统全自动装载的等离子系统平台。各种选项配置使得相应的系统适应客户的特定要求。系统主要有两种配置，分别是：可满足小批量产要求的单个工艺腔室、单臂机器人、单个晶圆匣载台；以及可满足大批量产要求的多个处理室、双臂机器人、多个晶圆匣载台。基于此，PVA TePla可以根据客户的要求装备等离子系统。在这里可以使用开放式晶圆匣载台以及 FOUP 或 SMIF 站进行配置。
工艺腔室的设计与 GIGAfab M 系统的设计相同，不同的是此处的装载门被锁阀取代。在腔室内，有一个专用于放置晶圆的卡盘，卡盘可以根据需要配备温度控制器。使用带有冷却回路和冷却装置的系统，温度范围为 20 °C 至 95 °C；或者使用高达 300 °C 的电加热系统，可选空气冷却配置以实现 60 °C 至 300 °C 之间的稳定工艺范围。
一个标准的GIGAfab A系统包括以下设备：
GIGAfab Modular 等离子系统是一款全自动单晶圆系统，可应用于 LED 和 MEMS 领域。装载机器人采用双臂设计，可实现高产量和低运营成本。此外，该系统最多可配备三个用于直径为 100 mm至 200 mm的晶圆的处理室。
处理室的设计已适应更小晶圆尺寸的要求。卡盘可通过电加热空气冷却系统实现 60 °C 至 250 °C 的稳定工艺范围，也可以通过带有冷却回路和冷却单元的系统实现 20 °C 至 95 °C 的温度。
GIGAfab Modular的优势：
每个工艺腔室模块都有自己的控制单元，并且包含一个用于稳定工艺压力的调节器，以及两个带有自动流量控制器 (MFC) 的气体管道；另外也可选配额外两个气体管道。
GIGAfab Gen 2 系统使用的也是平面微波源技术，但它可适用于平面屏幕的尺寸。该系统的主要应用是清洁和激活屏幕，例如：用于用喷墨印刷方法制造有机电子产品。该系统可以为几乎所有需要的尺寸进行配置。而装载则是使用相应的外部机器人系统进行的。
在此过程中，基板位于带有闭合回路和外部冷却单元的冷却板上。升降销可实现装载和卸载，各种传感器确保产品和机器人系统的安全。
GIGAfab Gen2的优势：
