Kronos系统的先进工艺解析

Kronos系统采用垂直梯度凝固（VGF）法，用以解决基本工艺问题。该系统的高工作压力意味着，即使其组分具有高蒸气压的材料也可以结晶。该系统可在10-40巴的压力范围内用于不同化合物半导体的结晶。这种方法支持晶体的工业化生产，例如砷化镓（GaAs）的工业化生产可以通过在最大10巴压力的标准版设备实现，而磷化铟（InP）的生产可以在最大40巴压力的标准版设备中实现。同时，PVA研发的一整套移动系统可为装炉和拆炉提供便捷。

针对不同化合物半导体的个性化解决方案

Kronos系统的优势在于其对于不同化合物半导体结晶需求的深刻理解。对于砷化镓的生产，Kronos系统做到了在标准版设备下，最大10巴的压力环境中就能完成结晶过程，这使得砷化镓晶体的生产变得简单且经济。而对于那些要求更高压力环境的半导体，如磷化铟，Kronos系统同样能在40巴的压力下保持卓越的结晶性能，满足不同半导体材料的定制化生产需求。

PVA研发的移动系统——充电与排空的便携解决方案

除了先进的VGF结晶技术，Kronos系统所采用的配套移动设备也是其成功的要素之一。这一整套移动系统由PVA研发，能够为结晶炉的充电与排空提供方便快捷的操作，大幅提升生产效率并降低操作复杂性。这意味着，在整个生产过程中，为了保证单晶生长环境的纯净与稳定，操作人员可以灵活、简便地管理炉内的气体环境，进一步确保晶体的质量和产量。

产品数据概览

材料：砷化镓，磷化铟