FZ区熔系统

PVA的FZ区熔系统具有独特的行业前瞻性,可更好的为半导体行业提供全面解决方案,我们的优势如下:

  • 通过收购丹麦 Haldor Topsoe公司,PVA TePla在区熔(FZ)系统设计领域拥有数十年的专业设计经验
  • • PVA TePla与高频发生器领域的技术领先企业长期合作,通过选择与相应FZ区熔系统相匹配的电源,保证系统的最佳性能。
  • PVA TePla提供适用于关键部件(例如掺杂气体系统或再冷却系统)的全面解决方案
  • PVA TePla通过与德国最知名的研究机构的合作,在系统设计、自动化和工艺开发领域追求持续发展。
  • PVA TePla的产品与竞争对手的工艺相比,在成本效率和可持续性方面都更胜一筹。

区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。

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我们的专家团队将为您提供支持!

Mrs. Xiuhong Xie

Head of Semiconductor Division China

区熔系统概览

FZ-14 区熔晶体生长系统

FZ-14 区熔晶体生长系统

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米(4英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染,同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。

PVA TePla为您提供更多个性化选择,例如用于掺杂的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、原料棒的修整器和调整籽晶方向的系统。

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体 1,100 mm
晶体拉动长度:长达100 mm (4″)
晶体直径:2.5 x 10-5 mbar
极限真空度:0.5 bar(g)

发电机

输出电压:30 kW
频率:2.4 MHz

上轴

进料速度:最高30 mm/min
上部旋转:最高35 rpm

下轴

拉动速度:最高 30 mm/min
下部旋转:最高 30 rpm

尺寸规格

高度6,280 mm
宽度:2,750 mm
深度:3,000 mm
重量(总):约 4,900 kg

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统

FZ-14M(G)区熔晶体生长系统为制备单晶硅晶体样品而设计开发,该系统用于工业多晶硅生产中的材料分析。生产过程中的小型多晶体样品在氩气环境中被感应熔化,并在籽晶上结晶,形成单晶,然后进行光谱分析,以检测和记录所生产的多晶硅质量。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料,使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒, 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外,上主轴可以在X或Y方向移动。

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体拉动长度 350 mm
晶体直径:最长可达 25 mm
最后真空度:2.5 x 10-5 mbar
最大过压:2 bar(g)

发电机

输出电压:15 kW
频率:2.4 MHz (FZ-14M)

上轴

进料速度:最高 30 mm/min
上部旋转:最高 30 rpm

下轴

拉动速度:最高 30 mm/min
下部旋转:最高 30 rpm

尺寸规格

高度:3,000 mm
宽度:1,020 mm
深度1,640 mm
面积(总):1,800 mm x 4,000 mm
重量(总):约2,500 kg

FZ-30和FZ-35 区熔晶体生长系统

FZ-30和FZ-35 区熔晶体生长系统

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米(8英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。

在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中,可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体,用以培育大晶体。同时,上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中,上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择,例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体拉动长度:2,700 mm
晶体直径:长达 200 mm (8")
极限真空度:2.5 x 10-5 mbar
最大过压:FZ-30: 3.0 bar(g)
FZ-35: 5.0 bar(g)

发电机

输出电压:120 kW
频率:2.4 MHz

上轴

进料速度:高达 30 mm/min
上部旋转:高达 30 rpm

下轴

拉动速度:最高 30 mm/min
下部旋转:最高 30 rpm

尺寸规格

高度:11,550 mm
宽度:3,800 mm
深度:4,050 mm
面积(总计):5,000 x 6,000 mm
重量(总计):约14,000 kg
pva区熔系统

SR110细杆式提拉机

SR110硅芯炉

SR110硅芯炉的工作方式与区熔系统类似。该系统使用一个在高频感应线圈下直径为100毫米的多晶硅棒(源棒)。根据硅棒的长度,在多个拉动工艺中可以产生特定数量的硅芯;然后这些硅芯被用作西门子下游工艺中的原棒。通过隔离阀将接收炉体与工艺炉体分开,可以将完成的硅芯取出,并立即开始下一个工艺。通过引入扩散到熔体中的工艺气体可以对细杆进行掺杂处理。

改良后的硅芯炉设计采用两个直径约为50毫米的源杆,并可以从每个源杆上拉出硅芯。

产品数据概览:

材料:硅

细杆

长度:最长3200毫米
直径:大约8毫米

源杆

长度:最长 1,000 mm
直径:100 mm (4")
极限真空度:5 x 10-2 mbar
最大过压:0.35 bar(g)

发电机

输出电压:30 kW
频率:2.8 MHz

上拉式进料

拉动速度:最高60毫米/分钟

下拉式进料

拉动速度:最高 10 mm/min
转速: 高达 20 rpm

尺寸规格

高度:7,300 mm
宽度:1,820 mm
深度:1,250 mm
占地面积(总计):2,500 mm x 2,800 mm
重量(总计):约6,000 kg
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